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：磷化铟(Indium Phosphide,InP)是典 型III-V族第二代化合物半导体材料，凭借 直接带隙光电特性、超高电子迁移率，广 泛应用于光通信、射频通信、卫星通信、 激光雷达、量子通信以及红外探测等战略 性产业。 在800G/1.6T光模块加速放量、AI算 力需求指数级增长的当下，InP突然成为 卡住光模块

卓越的弱光性能：

抗 PID：

正公差 0-5W 的正公差：

精细分档工艺：

产品名称： 单晶双面异质结电池片

厚度：110μm +20μm/-10μm

电池片正面（-）：0主栅电极，蓝色/深蓝色TCO减反射薄膜

电池片背面（+）：0主栅电极，蓝色/深蓝色TCO减反射薄膜

产品名称：单晶双面异质结电池片

厚 度：110μm +20μm/-10μm

电池片正面（-）：20主栅电极，蓝色/深蓝色TCO减反射薄膜

电池片背面（+）：20主栅电极，蓝色/深蓝色TCO减反射薄膜

单品名称：单晶双面异质结电池片

规格：N型硅片，18主栅，（210.3±0.15)mm×(105.15±0.15)mm

厚 度：110μm +20μm/-10μm

电池片正面（-）：18主栅电极，蓝色/深蓝色TCO减反射薄膜